RedactorКомпания Samsung анонсировала старт массового производства и коммерческих поставок памяти нового поколения HBM4. Эта разработка сделала Samsung пионером в области, добившись внедрения передовой технологии в форм-фактор готовой продукции. Ключевым преимуществом HBM4 является применение 4-нм техпроцесса для логических компонентов и шестой генерации 10-нм DRAM чипов, что позволяет достигать впечатляющих характеристик без необходимости кардинальной переработки архитектуры. Максимальная скорость передачи данных составляет 13 Гбит/с, а общая пропускная способность достигает 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает показатели более ранней HBM3E. Это критически важно для повышения эффективности в обучении крупных языковых моделей искусственного интеллекта. Удвоив количество входных контактов до 2048, разработчики добились 40% улучшения энергоэффективности. На данный момент доступны 12-слойные версии объемом 24 и 36 ГБ, а в будущем планируется выпуск 16-слойных модулей по 48 ГБ. Samsung прогнозирует, что к 2026 году спрос на HBM возрастет более чем в три раза по сравнению с 2025 годом и начнет тестирование улучшенной версии HBM4E во второй половине 2026 года.
Самосвальные полуприцепы: техника для стройки и добычи инертных материалов
Строительные площадки, карьеры и дорожные работы формируют один из самых требовательных сегментов рынка грузовой техники — здесь полуприцепы работают в жёстких условиях: бездорожье, абразивные материалы, интенсивная эксплуатация и частые циклы…
